| FlipFET MOSFET非常適合於對空間敏感的負載管理應用 |
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由於消費者要求產品具有更多的功能和更長的電池壽命，同時產品外形必須不斷縮小，所以業界越來越需要更新和更好的負載開關技術。晶片設計和製造已經取得巨大進步，相形之下，封裝就成為改善元件特性的一個主要局限。在一個功率MOSFET元件中，現有的封裝技術通常要對其多達30%的導通電組(RDson)負有責任。負載開關要求非常低的導通電阻，以便將傳導功率損耗降至最小。此外，為了適應手持式應用不斷縮小的外形，減少現有封裝的佔位面積正變得非常必要，與此同時還不能犧牲其目前承載矽晶片的能力。這些挑戰促使國際整流器公司(IR)開發了新的FlipFET封裝技術。FlipFET技術是一種真正的晶片級封裝(CSP)技術，它實現了新一代的超緊湊功率架構，而且在者業界首次獲得了100%的矽晶片／佔位面積比。
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