Intel推出採用90奈米製程技術的NOR快閃記憶體


英特爾(Intel)於英特爾科技論壇(IDF)中發表一套採用90奈米(nm)製程技術的NOR快閃記憶體。Intel Wireless Flash Memory是英特爾第9代快閃記憶體技術，將可滿足手機市場對於高效能快閃記憶體的需求。新的快閃記憶體是一款每個cell儲存一個位元(single bit per cell)的元件，採用英特爾多層cell(MLC)技術的新元件則將於今年稍後問市，這類元件每一個cell能儲存兩倍的資料量。