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利用90奈米追上摩爾定律　不僅是製程微縮而已(下)

透過提供導線層級的2.9 k (OSG)介電材料，TI已大幅改善電晶體效能，前個世代則是使用3.6 k (FSG)。低k材料減少元件導線層的電容和傳播延遲時間，增加驅動電流，由於這些都是影響電晶體開關速度的主要因素，低k材料可以提升晶片的整體工作速度和效能。低k介電材料也能減少電子訊號洩漏的風險，使晶片上的金屬線更靠近。

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