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ATDF與HPL展示採用45奈米技術的MuGFET電晶體

ATDF公司和HPL Technologies公司日前展示了在45奈米多閘場效應電晶體(MuGFET，multi-gate field effect transistor)的製程能力，據稱這種先進的半導體元件最終可能取代常規CMOS電晶體，ATDF多年來主要從事45奈米及以下的研究，這次研究結論是其開發計畫的一部份，該計畫還包括一家元件製造商、一所大學，以及設備、底板和材料供應商

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