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羅門哈斯引進低應力化學機械研磨法用的阻障層研磨液


羅門哈斯電子材料公司日前研發出一種可使銅材半導體裝置的低應力?低壓力化學機械研磨法(CMP)更趨完善的新型阻障層研磨液。以90nm和65nm的化學機械研磨為其標準的SSA阻障層研磨液，可提供穩定的性能、極低的瑕疵率與較寬廣的製程範圍，以提高產量並降低low-k材料的使用成本。

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