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NEC電晶體可大幅減少柵極洩漏並提高速率

NEC和NEC Electronics公司近日宣佈開發出新款柵層疊(gate stack)結構電晶體產品，這種結構採用了一種採用鉿(Hf)的高介電率(High k)材料和金屬柵極，能夠大幅抑制柵極電流的洩漏，並可提高電晶體的工作速率

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