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Oki推出漏極效率達55%的功率GaAs MESFET

Oki公司開發出能實現最高漏極(drain)效率的10W級無線通訊用功率GaAs MESFET新品──KGF1934。此款功率GaAs MESFET具有能承受12V電源電壓下工作的漏極耐壓，而且採用細微化柵極(gate)、T型柵結構，以獲得高效率，並且對通道構造進行了最最佳化設計。

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