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日立與瑞薩推出新式晶片堆疊封裝技術

日立(Hitachi)和瑞薩科技(Renesas)宣佈推出使用穿孔型互連方式，在室溫下連結晶片的推疊式晶片科技；此新科技可以免去金屬線的使用，並減少60%的SiP(系統封裝)產品封裝厚度。藉由此新的封裝技術，介於30～50μm厚的LSI晶片，將在頂端和底部間加上穿孔式電極和金屬凸塊；因此於室溫下，便可使用壓縮力連結凸塊和穿孔式電極。

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