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Sony與東芝合作開發出45奈米嵌入式DRAM


日本Sony與東芝(Toshiba)公司日前宣佈,透過把嵌入DRAM單元(embedded DRAM cell)縮小至0.069平方微米,雙方合作開發出了第一個45奈米嵌入DRAM單元。雙方在日本東京舉行的2005 VLSI研討會上發表的一篇論文介紹了上述成果。

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