以p- Al0.26Ga0.74N之Al含量漸變層結構改善氮化鎵紫外光偵測器特性之研究
作者:Su-Sir Liu, Pei-Wen Li, Yi-Cheng Cheng

以MOCVD汽相磊經成長法生長之AlxGa1-xN/GaN氮化鋁鎵/氮化鎵紫外光偵測元件用以偵測UV-B波段(280-320nm)，其具有國防軍事(飛彈火焰偵追)，工業(火焰監控及污染物監控)等多方面用途；實驗結果證明，我們經由適度的控制P-層Al0.26Ga0.74N漸變層中Al的含量由26%漸變降低至13%，則元件表面的缺陷密度及暗電流值均可以有效的降低；在此同時元件位於UV-B波段的光響應值亦可以獲得提升，二者相較於傳統之非漸變層結構設計者為優。