| 高溫及靜態高電壓放電測試對氮化鎵GaN紫外光偵測器造成的影響 |
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以MOCVD汽相磊經成長法生長之GaN氮化鎵紫外光偵測元件用以偵測紫外光波段，其具有廣泛的國防軍事及工業上等多方面的用途，由於氮化鎵材料具寬能隙(wide-bandgap)特性，具有極高的化學安定性，耐腐蝕性，耐熱衝擊性；但是甚少文獻談論到在高溫及靜態高電壓放電(ESD test)等環境測試對元件實際所造成的影響；實驗結果證明，元件暗電流隨著溫度的升高上升有限，但是元件在經過多次靜態高電壓放電之後，暗電流明顯上升，所獲得到的光電流亦將明顯降低；在此同時，元件在經過靜態高電壓放電測試之後，光響應值及波段鑑別率(360nm/400nm)亦將明顯降低；我們的元件在崩潰電壓4500V時，才會造成元件的失效。
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