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ST發表以新材料為基礎的被動元件整合技術


STMicroelectronics (ST)發表號稱可讓薄膜被動元件在整合過程中，提升接面電容密度的新技術；ST表示，該技術以一種被稱為PZT Perovskites的材料為基礎，為該公司整合式被動與分離式元件(IPAD)系列技術之一，可實現大於30nF/mm2的電容整合度，優於當前採用矽或鉭等氧化物或氮化物的技術。

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