電子工程專輯

具強韌性的低電壓、低功率嵌入式快閃記憶體技術
作者: Ata R. Khan, Naresh Tandan

飛利浦半導體公司開發出0.18微米、三阱(triple-well)製程的嵌入式快閃記憶體技術。這種技術採用2T單元、FN-FN編程/擦除和晶片上電荷泵(用於產生編程/擦除電壓)，其工作電壓範圍是1.2~2V。透過最佳化設計技術、快閃記憶體單元和製程生產出能夠在寬泛的作業條件範圍內工作且具有高持久性的強韌產品。

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