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Atmel新CMOS製程技術針對低功耗RF元件的應用

Atmel公司近日推出0.18um的AT58900 RF CMOS製程技術，主要針對需要高速低功耗RF元件的ASIC代工用戶，如WLAN、WiMAX及ZigBee等應用。這種新製程在200mm的晶圓上進行製造，可實現1.8V CMOS電晶體和大量陣列的被動元件，包括低容差的模擬聚乙烯電阻、N+和P+ S/D電阻以及多達4層的金屬層，其RF焊盤有助於降低介面阻抗。

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