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最新MOS相位轉換記憶體單元功耗降低50%


日立(Hitachi)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發佈了低功耗相位轉換記憶體單元(MOS phase-change memory cell)的雛型。這種非揮發半導體儲存單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100uA的條件下進行編程,與採用之前技術的日立和瑞薩發佈的產品相較,每個單元的功耗降低了50%。

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