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新數據寫入技術使MRAM變得更可行
作者: Yoshiko Hara

來自於兩家旋轉力矩轉移－磁性隨機記憶體(STT-MRAM)開發商的消息指出即將增加MRAM被選為‘通用記憶體’的機率。‘通用記憶體’是指下一代平台，能夠滿足各種不同應用的需求，並取代我們今日所使用的DRAM、SRAM和快閃記憶體元件。

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