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TSMC浸潤式曝光顯影技術即將邁入量產

上網時間: 2006年02月24日  打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:台積電  TSMC  浸潤式曝光顯影技術  測試  晶片 

台積電(TSMC)近日表示,該公司浸潤式曝光顯影技術所產出的測試晶片,已相當符合量產所要求的參數標準,並計劃將於45奈米製程採用浸潤式曝光顯影技術。

台積電在美國加州聖荷西所舉行的SPIE Microlithography研討會中發表這項成果,同時指出透過該公司專有的技術,浸潤式曝光顯影成功產出多批測試晶片,單片晶片上的晶片缺陷最低的僅有3個,達到幾乎零缺陷密度的目標。

浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機台的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質,以得到更高解析度的光源,而製造面積更小、密度更高的元件。此外,也使得原本使用液體介質所導致氣泡、水印、微粒子掉入與所引起的影像缺陷或光阻液殘留的狀況得以解決。

因此,浸潤式曝光顯影技術突破了目前這個世代(193奈米)採用曝光顯影機台的限制,使其能夠繼續用於製造更先進技術的晶片;同時,台積電並已計劃將於45奈米製程採用浸潤式曝光顯影技術。




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