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英飛凌針對高頻應用發表新一代LDMOS製程技術


英飛凌(Infineon)在MTT國際微波研討會上，展示了下一代LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)製程。該製程可用來製造無線網路基地台和中繼器功率放大器等產品的高功率RF電晶體；除可滿足高速無線接取網路的要求，新製程在功率密度方面號稱較英飛凌現有製程生產的設備高出25%。

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