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NEC發表高介電材料55nm CMOS製程技術

NEC電子日前開發出了55奈米CMOS製程技術，在MOSFET閘絕緣膜中導入了high-k (高介電常數)材料，實現高載流子遷移率，因而同時實現了可攜終端等領域所要求的低耗電和高速執行。

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