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[ 2008年7月24日 ]


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力旺推出高電壓製程OTP提升晶片良率與性能

力旺電子宣佈，該公司已完成0.15微米高電壓製程的Neobit矽智財技術開發，使其嵌入式非揮發性記憶體Neobit IP可廣泛地建置於元件製造整合廠(IDM)與晶圓代工廠高壓製程平台之上，涵蓋了0.6微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.22微米、0.18微米與0.15微米等製程技術。

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