新一代砷化鎵材料可望提升自旋電子元件性能


具備充足電洞(Hole-rich)的半導體如砷化鎵(gallium arsenide)，可以讓未來在磁性原子上儲存資訊的自旋電子元件(spintronic devices)被嵌入到其晶格(crystalline lattice)中。但是現有的磁性原子隨機摻雜(random doping)技術，使得增加自旋電子學性能成為一種漫無目的的過程。而日前有研究人員宣稱已找到了一個對分子進行排列的完美方法。