| STS發表針對IC量產開發的12吋DRIE電漿源 |
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電子設備製造商Surface Technology Systems (STS)公司日前宣佈，將開發一種新的深反應離子蝕刻(DRIE)電漿源，該系統將與大量製造IC時所使用的12吋晶圓有高度相容性。DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所發明、STS所開發的一項重要矽基微細加工技術，該加工法在MEMS的製造過程中已有長達十年的歷史。
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