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軟開關應用中的損耗最佳化
作者:O.Hellmund, 陳子穎, W.Frank

IGBT技術進步主要展現在兩方面：透過採用和改進溝槽單元來最佳化垂直方向載子濃度，以及利用‘場終止’概念(也有稱為‘軟穿透’或‘輕穿透’)降低晶圓n底板的厚度。

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