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[ 2008年7月25日 ]


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Infineon宣佈取得多重閘極場效電晶體技術突破

英飛凌科技(Infineon Technologies)發表多重閘極場效電晶體(Multi-gate field-effect transistor)技術，在未來是面對眾多挑戰的解決方法之一。在面積小又需要眾多功能的積體電路上，比今日的平面單閘極技術(Planar single-gate)所消耗的功率要小很多。

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