| 採用懸浮閘技術的新式MEMS記憶體問世 |
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意法半導體(ST Microelectronic)研究人員與瑞典Ecole Polytechnique Federale de Lausanne的微奈米電子元件實驗室(Micro and Nanoelectronic Devices)的夥伴們，發表了一種單電晶體記憶體單元(one-transistor memory cell)設計，將懸浮閘MOSFET (suspended gate MOSFET)與微機電閘電極(microelectromechanical gate electrode)整合。
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