| 解析降低65奈米製造良率的因素及改善方法 |
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先進半導體的製造依賴於設計與製造之間的巧妙平衡。在製造端，有許多問題會引起良率下降、性能劣化和功耗上升。特別是在65nm節點，對微影、化學-機械拋光(CMP)和隨機微粒缺陷的設計敏感性將嚴重降低初始良率。設計師還面臨著越來越複雜的設計規格和日趨緊張的投片計劃。如何有效橋接設計與製造這兩大領域以實現更高良率設計，同時仍能滿足專案要求遂成為主要挑戰。
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