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[ 2008年7月25日 ]


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NXP新一代BISS雙極電晶體適合可攜式應用

恩智浦半導體(NXP)發表新一代低VCEsat電晶體，與普通電晶體相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS (Breakthrough in Small Signal)電晶體具有超低飽和電壓(1安培時低於60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗，並有效減少可攜式電池供電產品(如筆記型電腦、PDA和數位相機)的熱能產生。

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