利用Liberty CCS建模技術實現高精密度EDA分析
作者:George Mekhtarian, Rob Aitken

廣泛應用的非線性延遲和功耗模型(NLDM/NLPM)已經在積體電路設計產業使用了近10年。這些模型由多個擷取了每種輸入電壓變化和輸出負載組合的單元(cell)延遲或功耗的表構成。在90奈米及以下的製程尺寸上，許多新效應已經無法再使用這種方式來建模。下面我們將對一些此類建模挑戰進行更詳細的闡述。這些挑戰包括：高阻抗互連；米勒效應(Miller effect)；動態電壓降對延遲的影響；多電壓、動態電壓和頻率調整(DVFS)設計；驅動電路削弱現象；溫度逆變；製程變動不斷加大。