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Dow Corning低介電常數薄膜技術獲美國專利


Dow Corning表示，其最新的低介電常數碳化矽與氫化碳氧化矽(low-k SiC and H:SiOC)薄膜製造方法已獲得美國專利。這套方法利用電漿輔助化學氣相沉積製程(PECVD)讓含氧氣體與帶有應力矽鍵結的環矽烷化合物進行反應。

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