| 具有可變性意識的實用DFM設計方法 |
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在90奈米以下製程，GDSII圖案中的正方形和長方形被轉換成矽晶片上的微影後圖樣輪廓。但是，無論對這些理想的形狀採取了多少OPC/RET技術，它們都會轉換成晶片上的圖樣輪廓，並因此改變了晶片的主動和被動層特性。這種可變性在整個製程窗口內正變得更加嚴重，因為設計實現和分析是基於理想的GDSII形狀，設計階段和實際的晶圓之間存在著巨大差異。隨著幾何尺寸的縮小，性能變化將進一步加劇。
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