| 用於65nm以下節點關鍵缺陷擷取的寬頻照明技術 |
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隨著晶片製造商不斷地發明新材料、新結構以及新製程，他們正面臨著新的缺陷類型和影響缺陷檢測等新噪音源不斷增加的挑戰。能夠擷取最廣泛缺陷類型的傳統方法是寬頻明場檢測技術，另一種方法則是單波長雷射DUV明場檢測。本文將利用理論模型與實驗數據，展示一個可調的寬頻明場檢測方案，在滿足最新的缺陷檢測挑戰並對影響良率等會產生較高缺陷的擷取率方面，該方案具有單波長方案不具備的一些優點。
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