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[ 2008年7月25日 ]

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三星以30奈米製程開發首款64Gb NAND快閃記憶體

三星開發成功了一款64Gb多層單元NAND快閃記憶體晶片，該晶片採用30奈米製程設計。三星表示，這標誌著儲存密度連續第八年每年提高一倍。

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