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[ 2008年5月23日 ]


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Soitec：藉助新晶圓材料研究跨越摩爾定律挑戰

在後矽(post-silicon)世代，尋求能夠延續製程微縮的新興材料，是多年來半導體業界關注的首要議題，換言之，業界正在尋求能延用現有製程設備，又能持續微縮的奈米級CMOS技術。而絕緣層上覆矽(SOI)，是預期能在22nm甚至以下節點，為製程微縮所帶來之電晶體結構問題提供解決方案的主要技術之一。

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