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[ 2008年7月9日 ]

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美國大學研發號稱可排除閘極漏電問題的新製程

一種用於CMOS電晶體的high-k電介質製程，可望使國際半導體藍圖(International Semiconductor Roadmap)駛上高速公路，因為該技術到甚至10奈米的製程節點上，都可消除閘極漏電(gate-leakage problem)問題。

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