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[ 2008年7月9日 ]


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使用新一代SRAM實現嵌入式ASIC和SoC設計

基於傳統六電晶體儲存單元的靜態RAM記憶體一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所採用的利器。然而，用來組成鎖存器和高性能負載的六電晶體導致6T單元尺寸很大，大幅限制了可在記憶體陣列中實現的儲存容量，而單電晶體/單電容(1T)記憶體單元能克服這些侷限性。

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