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[ 2008年7月24日 ]


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IMEC發表新一代32奈米CMOS製程研發成果

比利時研究機構IMEC的研究人員和其在32nm CMOS計畫的合作夥伴，宣佈已取得了一個重大的突破，主要是可以透過使用以鉿(hafnium)為基礎的high-k電介質和鉭-碳化物(tantalum-carbide)金屬閘來大幅提升平面CMOS (planar CMOS)的效能。

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