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[ 2008年7月24日 ]


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NEC發表40奈米DRAM混載系統LSI製程技術

NEC電子日前完成開發2種線寬40奈米的DRAM混載系統LSI製程技術，使用該製程可以生產最大可整合256Mb DRAM的系統LSI。此次NEC電子推出一種低功耗的UX8GD製程，可使邏輯部份的處理速度最快達800MHz；另一種為低漏電流的UX8LD製程，它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。

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