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III-V族化合物應用潛力大　InGaAs為首選
作者:John Walko

根據最近由德國業者Aixtron和Sematech所舉辦的一場技術研討會所討論的內容，某些III-V族化合物的高電子遷移率，使其成為未來NMOS通道材料的主要候選者，其中基於銦(indium)的InGaAs可能是首選材料。

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