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在奈米時代提高矽晶片製造良率
奈米時代的設計遊戲規則已悄然改變。由於影響可製造性的變異數量持續增加，加上複雜性的提高，良率的提升變得更為艱難。良率本身的定義也已改變，現在的良率融合了可變功率管理測試、多種形式性能測試和電路完整性測試三方面。
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