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跨越技術障礙 IBM解決石墨薄片FET雜訊問題
美國IBM T.J. Watson研究中心的研究人員稱，利用一種新穎的雙層架構，可以把石墨薄片(graphene)電晶體中的雜訊降至原來的10分之一。在電晶體微縮至32奈米及以下尺寸後，依照Hooge定律，對於任何材料製成的所有元件來說，雜訊將成為重大問題。
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