首頁 | 登錄 | 現在註冊   [2010年03月14日]
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ANADIGICS:行動寬頻驅動高性能PA快速發展

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關鍵字: 功率放大器  PA  砷化鎵 

成立於1985年的ANADIGICS公司最初主要以砷化鎵(GaAs)技術開發軍事領域的相關應用,一直到了1990年才開始轉型至商用化市場。儘管GaAs的成本較高,但這種高速電晶體的高性能與穩定性,使其非常適於針對手持設備、Wi-Fi或WiMAX傳輸端開發專用的功率放大器(PA)。

ANADIGICS公司總裁兼CEO Bami Bastani在與《電子工程專輯》的專訪中,暢談他對目前RF半導體市場的觀察,並強調該公司針對快速成長中的寬頻、無線與有線領域一向秉持的市場兼容營運方針、專精的技術優勢,以及針對亞洲市場的晶圓策略。

請談談您對於整體RF半導體產業的看法。

這一市場的成長著實令人感到興奮。許多人認為寬頻始於2000-2001年,儘管當時已有此體認,但技術卻未到位;而今,眾所週知,我們現正處於一個寬頻革命的中期,不但對於未來構築了理想,相關技術也已發展臻於成熟,因而整個產業正快速成長中。

最佳的例子是我們在今年第一季的穩步成長。儘管Q1通常是傳統淡季,但我們仍較去年第四季成長了10%,並較去年同期大幅成長50%,因此,我說這是相當令人感到興奮的事。

很快地,未來隨著筆記型電腦對於行動性的廣泛需求而必須內建WiFi和WiMAX功能,將會大幅推升對於更多PA的要求。而在有線電視(CATV)方面,由於HD HDTV需要更高頻寬,以及整體基礎架構逐漸升級至1GHz,以實現三重服務(triple play),也造就了一個很大的市場。我認為ANADIGICS公司的獨特之處就在於可為每一市場提供了不同的PA;我們確實協助推動了一種產業大勢(MegaTrend)。

就行動寬頻市場而言,ANADIGICS廣泛地提供了HSPA/HSPA+與WiMAX等競爭標準的相關產品,但您認為哪一種規格會是未來的行動寬頻市場主流?

就筆記型電腦的行動性與下一代行動技術而言,目前市場上存在著支持WiFi與WiMAX標準的英特爾(Intel),以及高通所支持的Gobi平台──它以3.5G HSPA技術為主;另外,高通兩年前也併購了Airgo並因此取得Wi-Fi的功能特性。所以,我們現在看到英特爾與高通這兩大巨擘,正分別以WiFi/WiMAX與WiFi/HSPA區隔化其市場,並彼此競爭。

針對行動市場而言,我個人認為,無論何種技術要勝出都必須取決於其網路部署情況。今天,HSPA網路已經存在,但WiMAX仍在發展中。另一方面,到了2010∼2012年時,市場上還會出現針對4G行動設備的LTE,它將佔有最大的市佔率。就4G多媒體手持設備而言,屆時大約會有80%的LTE手機,而WiMAX大約為20%左右。目前許多行動營運業者與手機製造商都已經選擇了LTE,包括VodaPhone與Verizon、Nokia在內。

然而,WiMAX在NB PC等超行動設備中仍擁有較早部署的優勢,但針對大眾消費市場,未來可能遭逢LTE的強勢競爭,或者我們可說二者將會並存。目前,許多國家紛紛開始建置WiMAX基礎架構,韓國三星、Intel與Google也都開始採用WiMAX,如現正熱烈討論中的Google-WiMAX電話。因此,我們也可以從多種產業對WiMAX的支援看出其仍具備市場發展性。

ANADIGICS早已與英特爾就WiMAX產品合作逾4年了。針對WiMAX市場,在第一階段,我們為成長中的最後一哩連接方案公司Alvarion與Airspan等公司提供了固定式點對點WiMAX方案,接著三、四年前開始提供WiMAX基礎架構的CPE產品,現在還提供了WiMAX行動性產品,如中興(ZTE)的WiMAX附加卡產品就使用了我們的方案。同時,我們也和英特爾、Beceem與Sequan分別合作了WiMAX的參考設計。

您對於用CMOS做PA的看法?有些公司認為整個RF前端訊號鏈均可用CMOS進行整合,您的看法呢?

對於一些較低階的GSM設備而言,採用CMOS PA當然沒有問題。PA雖具有很多特定的規格與應用,但很難完全符合所有的標準需求,如果要同時滿足功耗效率、堅固耐用性或線性度,那麼以CMOS PA只能達到低階設備的要求。

例如WiMAX初導入之際採用的802.11b對於資料率要求較低,採用矽晶PA製程即可,但當802.11b/g開始後,就必須使用一些GaAs技術;而在802.11a/b/g以後,就必須完全使用GaAs技術。資料傳輸率越高,所能實現的多媒體與寬頻應用也就越多,這是採用CMOS PA完全無法實現的。我認為CMOS PA目前的市佔率大概只有個位數,特別是集中在低階市場應用。就摩爾定律來看,製程每18個月微縮一次,處理器執行得更快,資料率也相對提升;隨著晶片處理技術速度增加,也就需要更高性能的PA。儘管CMOS PA的性能也在提升,但卻很難比得上GaAs的性能提升速度,二者間的性能差距越來越大。

因此,我認為這並不足以對砷化鎵技術構成威脅。我個人已經在半導體產業工作約30年了,前20年就在英特爾公司從事矽晶相關工作,後來的10年則轉至GaAs技術領域,一開始的前5年我還會擔心矽晶技術,但後來,由於GaAs製程性能提升實在太過迅速,現在我已經不擔心了。

請談談您的晶圓廠策略。

首先,我認為中國正日漸成為全世界製造業的中心,而這也是他們的核心競爭技術所在。一年多以前,我們在崑山高新技術產業園區(KSND)投建了一座6吋GaAs晶圓製造廠,並且一直與中國當地廠商維持著良好的關係;中國大陸不但提供了良好的製造基地,也為我們帶來了更多的刺激。

此外,中國也是一個非常好的轉運點(hub)。不只由於它提供了手機製造的廣大腹地,同時也因為它非常接近整個亞洲市場。亞洲市場對我們而言相當重要,我們有大約65%的營收都是來自於亞洲。

另一方面,我們也與台灣的一些公司建立夥伴關係。當我們以中國作為晶圓製造基地,我們也以台灣作為RF測試與組裝據點。

您認為ANADIGICS能夠成功地分別與英特爾和高通合作的秘訣為何?

我們最重要的業務策略就是專注於PA市場,而不打算開發基頻或收發器產品,因而能持續維持與高通或英特爾等客戶在發展策略和產品上的相容共存。

此外,我們擁有多項製程技術專利,如InGAP plus整合了開關與PA於同一晶片上,比其它競爭的PA產品所使用的功率更低一半,因而可實現更低功耗與高能效,電池使用壽命更長20-25%。針對這項整合技術,我們是目前唯一實現商用化的廠商。雖然市場上也出現了一些採用整合開關與PA方案的競爭廠商,但他們正處於開發階段,該差異化技術也有一定的進入門檻,因此,我們對所持有技術專利與多年的量產領先仍深具信心。

作者:鄧榮惠、洪淑賢



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