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功率技術/新能源  

整合190V功率二極體的n通道MOSFET

上網時間: 2009年01月12日  打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  SiA850DJ  二極體 

Vishay Intertechnology宣佈推出業界首款帶有同體封裝的190V功率二極體的190V n通道功率MOSFET──SiA850DJ,採PowerPAK SC-70封裝,佔位面積2mm×2mm,厚度僅0.75mm。

SiA850DJ的典型應用包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器以及手機、PDA、MP3播放器及智慧型電話等可攜式設備中的有機LED(OLED)背光。

Vishay表示,將MOSFET及功率二極體整合到相同封裝內,可協助設計人員節省約三分之一的PCB面積,由於無需使用外部二極體,可降低解決方案成本。較大元件在2.5V時達到導通電阻額定值,而SiA850DJ在1.8V時便可達到導通電阻額定值,由於無需使用電平位移電路,這進一步節省了板面空間。

SiA850DJ的導通電阻值範圍介於1.8V VGS時17Ω∼4.5V VGS時3.8Ω,0.5A時二極體正向電壓為1.2V。SiA850DJ為100%無鉛(Pb)、無鹵素,並符合RoHS規範,可滿足消除有害物質的國際法規要求。





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