什麼是快閃記憶體？
| 快閃記憶體(Flash Memory)，是非揮發性記憶體的一種，不需電力來維持數據的儲存。又可分為NOR Flash以及NAND Flash兩種，前者用於儲存程式碼，後者用於儲存數據資料。快閃記憶體用一個浮動閘(Floating Gate)電晶體來儲存數據，利用每個電晶體所能儲存的資料數量來區分，可以將NAND Flash區分為兩類：單級儲存(Sigle Level Cell，SLC)和多級儲存(Multi Level Cell，MLC)。單級儲存具有速度快，耗電量低的優點，但是多級儲存的成本比較低。 |
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| 2012-01-31 | Ramtron推出2Mb串列非揮發性F-RAM 低功耗鐵電記憶體(F-RAM)供應商 Ramtron International日前推出2百萬位元(Mb)高性能串列 F-RAM 元件 FM25V20 。該元件是 Ramtron 公司V系列 F-RAM 記憶體的新款產品，工作電壓範圍在2.0 - 3.6V之間，可取代廣泛應用的串列式快閃記憶體和串列 EEPROM 。 |
| 2012-01-13 | HHNEC採用思源Laker/Verdi加速開發流程 思源科技(SpringSoft)與晶圓代工廠華虹NEC(Hua Hong NEC, HHNEC)宣佈， HHNEC 已採用思源 Laker 客製化IC設計解決方案，運用於建立製程設計工具(PDK)流程中，同時也在其晶圓廠的驗證參考流程中整合了 Verdi 自動偵錯系統。 |
| 2012-01-12 | Microchip最新PIC MCU工作電流150μA/MHz Microchip Technology 日前推出具備全新低功耗休眠模式、超低工作電流的 PIC24F ‘ GA3 ’16位元快閃記憶體微控制器(MCU)系列，擴展其超低功耗(XLP) MCU產品線。新的 PIC24F ‘ GA3 ’元件工作電流150μA/MHz，具備6個DMA通道，能以更低功耗增加程式執行量。 |
| 2012-01-11 | LSI完成對SandForce的收購 LSI公司宣佈已完成對 SandForce 公司的收購。 SandForce 為一家針對企業和用戶端提供快閃記憶體解決方案以及固態硬碟(SSD)的快閃記憶體處理器供應商。在加入能夠加速應用效能的創新快閃記憶體解決方案後，可為LSI帶來更快速成長的快閃記憶體處理器市場，滿足 Ultrabook 、筆記型電腦以及企業級 SSD 和快閃記憶體解決方案的需求。 |
| 2011-12-28 | IMEC將RRAM單元微縮至10nm 歐洲研究機構 IMEC 稍早前在國際電子元件大會(IEDM)，提出了尺寸僅10nm x 10nm的電阻式 RAM (RRAM)記憶體單元。據 IMEC 稱這種超小型的記憶體具有取代 NAND 快閃記憶體的潛力。 |
| 2011-12-27 | 瑞薩開發首款適用於汽車即時應用的40奈米記憶體IP 瑞薩開發首款適用於汽車即時應用的40奈米記憶體IP |
| 2011-12-26 | 快閃記憶體掀版權保護議題 快閃記憶體掀版權保護議題 |
| 2011-12-21 | TI超小型PMIC瞄準固態硬碟應用 德州儀器(TI)推出全新微型、單晶片電源管理積體電路(PMIC)系列產品 LM10504, LM10503 及 LM10506 ，可以為固態硬碟(SSD)、混合驅動和其他快閃記憶體管理應用的所有電源軌供電。新的 PMIC 提高了穩定性、降低系統成本並縮短開發時間。其他功能還包括深度休眠省電模式、內建電流限制和過熱保護、省電資料保護等。 |
| 2011-12-21 | 旺宏序列快閃記憶體獲飛思卡爾新一代車用晶片採用 旺宏序列快閃記憶體獲飛思卡爾新一代車用晶片採用 |
| 2011-12-20 | SMSC推出TrustSpan系列flash控制器與讀卡機控制器 SMSC推出 TrustSpan 安全系列產品，包括高速 USB 安全快閃記憶體控制器 SEC2410 以及智慧卡讀卡機控制器系列 SEC1100 和 SEC1200 ，可滿足PC、週邊與嵌入式市場對靈活、自訂安全解決方案日益升高的需求。 |
| 2011-12-15 | 傳Apple洽談收購快閃記憶體控制器開發商Anobit 傳Apple洽談收購快閃記憶體控制器開發商Anobit |
| 2011-12-08 | Intel、美光共推20nm的128Gb NAND flash 英特爾(Intel)和美光科技(Micron Technology)日前宣佈，已開發出128Gb的 NAND 快閃記憶體，新元件採用了針對快閃記憶體改良的 20nm 製程技術，將 high-k 金屬閘極(HKMG)電晶體包含在內。 |
| 2011-12-07 | 宜鼎工業級microSD卡支援自我診斷與資料更新功能 宜鼎國際(InnoDisk)推出工業級智慧 microSD card，內部採用高速快閃記憶體 SLC (Single Layer Cell)，除了保證資料抹寫次數超過10萬次，確保資料寫入時高效能及高可靠性以外，並針對「裝置行動力」具備防水、防塵、防震、防靜電做相關設計，以滿足工業應用環境的嚴苛需求。 |
| 2011-11-30 | 華邦小尺寸SpiFlash封裝方案瞄準小型手持裝置應用 華邦電子(Windbond Electronics)推出一款新的最小封裝 SpiFlash (串列式快閃記憶體)方案，尺寸小至3.46mm2，適用於智慧型手機、藍牙耳機、數位相機、數位攝影、遊戲、全球定位系統、無線模組等小型行動裝置/手持產品等，滿足其對於節省空間的需求。 |
| 2011-11-25 | 宜鼎國際於SC11展示完整工控儲存產品線 宜鼎國際(InnoDisk)宣佈於西雅圖舉辦的超級電腦年會(SC11)中展示旗下完整的產品線，包括快閃記憶體儲存裝置與高效能伺服器用記憶體模組等，積極跨入伺服器市場供應鏈，並將觸角延伸至雲端應用領域。 |
| 2011-11-25 | Atmel首款具備LF-RFID閱讀器的MCU問世 愛特梅爾公司(Atmel Corporation)宣佈，已開始提供附帶 RFID 閱讀器模組和16kB系統內自程式設計 (in-system self-programmable) 快閃記憶體的 AVR 微控制器(MCU)產品。新的 ATA5505 採用5mm x7mm QFN封裝，在100-150kHz的低頻率 (low-frequency，LF)範圍工作，適合各式LF幅移鍵控 (Amplitude Shift Keying，ASK) RFID閱讀器和燒錄器，可用於出入管制、工業自動化和動物識別應用。 |
| 2011-11-21 | 微軟：下一代資料中心需要更強大的晶片 一位微軟(Microsoft)大型資料中心設計人員表示，大型資料中心需要更低功耗的快閃記憶體晶片、整合型處理器，以及比尺寸比以往更大的建構模組。他還提出了低功耗雲端MLC快閃記憶體的構想，希望透過多種最佳化設計打造下一代更低功耗的資料中心。 |
| 2011-11-18 | Kindle Fire拆解照大公開 BoM估計143美元 UBM TechInsights 最近公佈了 Amazon 平板裝置 Kindle Fire 的拆解照；該產品在本月開始於美國市場出貨，零售價199美元，配備7吋顯示器、1GHz德州儀器(TI) OMAP雙核心處理器，有7.5小時的電池壽命、Wi-Fi功能，內建8GB容量 NAND快閃記憶體。此外 UBM TechInsights 也估計， Kindle Fire 的物料清單成本(BoM)約為143美元。 |
| 2011-11-14 | 編輯觀點：半導體產業裁員潮再起？ 半導體產業將掀起新一波裁員潮嗎？近日AMD與 Spansion兩家大廠陸續公佈裁員消息，讓該領域從業人員陷入恐懼陰霾。AMD是宣佈將裁員10%，約1,400人；NOR快閃記憶體供應商Spansion (很巧⋯它曾是AMD的一部分)則表示將裁員750人，幅度約20%。 |
| 2011-11-09 | Atmel公佈首款Cortex-M4快閃MCU Atmel公佈首款Cortex-M4快閃MCU |
| 2011-11-07 | 憶正MLC SSD將使用壽命提高10倍 固態硬碟(SSD)供應商憶正(Memoright)日前推出採用 MLC 快閃記憶體的新一代2.5吋HTM-25固態硬碟，主要瞄準要求持續穩定讀寫效能的雲端運算、商用伺服器及工業用電腦等相關應用。新產品內建自行研發的 Endurance Write 韌體架構，使用壽命是一般 MLC SSD 的十倍以上。 |
| 2011-11-03 | LSI收購快閃記憶體儲存處理器供應商SandForce LSI收購快閃記憶體儲存處理器供應商SandForce |
| 2011-10-24 | IMEC：3D Flash有潛力 RRAM還需等待 基於金屬氧化物的非揮發性記憶體──電阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 節點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘 NAND 快閃記憶體相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合晶片發展， IMEC 研究所記憶體研究專案總監 Laith Altimime 說。 |
| 2011-10-14 | Microsemi國防級SATA儲存系統提供75GB SSD容量 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣佈，針對安全性嵌入式國防應用，推出完整SATA儲存系統系列── MSM37 和 MSM75 ，均採用32mm x 28mm 522 PBGA(塑膠球閘陣列)封裝，最高可提供75GB的 NAND 快閃記憶體固態儲存容量，是無法採用全尺寸2.5英吋儲存裝置應用的理想解決方案。 |
| 2011-10-12 | 憶阻器取代Flash？ HP擬2013推商用化元件 惠普(HP)實驗室資深院士 Stan Williams 聲稱，該公司自2008年開始研發，基於‘憶阻器’技術的兩端點、非揮發性記憶體技術，可望在未來18個月內投入市場，甚至取代快閃記憶體。 |
| 2011-10-06 | Energy Micro推出100款Cortex-M3核心MCU Energy Micro 日前推出100款全新 EFM 32 Gecko 系列低功耗微控制器(MCU，新元件包括了採用 ARM Cortex-M3 核心的 Leopard Gecko 和 Giant Gecko 系列，接腳數和程式碼均相容於現有的 Gecko 和 Giant Gecko ，但快閃記憶體則達到1MB，並提供更多封裝選項，進一步節約能耗。 |
| 2011-10-05 | 旺宏Serial Flash支援最新JESD216 SFDP規格 旺宏電子(MXIC)宣佈，將全力支援 JEDEC 日前發佈的 JESD216 新規格── Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)，並將內建於所生產製造之全系列Serial Flash產品中。 |
| 2011-10-04 | Spansion高速FL-S NOR鎖定汽車、CE及智慧電錶應用 Spansion 日前推出採用 65nm的 Spansion FL-S NOR Flash ，相較於競爭對手的串列式快閃記憶體，此系列產品具備高出 20% 的雙倍資料率 (Double Data Rate, DDR) 讀取速度以及快三倍的編程速度。 |
| 2011-09-28 | IEDM：PCM研究朝20nm邁進 非揮發性相變記憶體技術長久以來一直被討論是否可取代現有的主動式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭議，因為儘管多年來有許多公司相繼投入研發，但仍未達量產水準。 |
| 2011-09-26 | 三星加速NAND擴產 20nm DRAM投入量產 韓國三星電子公司(Samsung Electronics)表示，該公司位於韓國京畿道華城Nano City Complex園區的 NAND 快閃記憶體晶片新廠Line-16已開始投入營運。三星公司並宣佈量產半導體產業首款基於20nm製程技術製造的 DDR3 DRAM 。採用20nm製程的DDR3 DRAM將於三星另一座晶圓廠生產。 |
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