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低功耗RF 搜尋結果

 
 
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2011-05-20 NXP：啟動「物聯網」就從照明開始
恩智浦半導體(NXP Semiconductors) CEO Richard Clemmer表示，該公司將以基於IP的照明應用，推動‘物聯網’(Internet of things)的發展。恩智浦所勾勒的‘物聯網’願景必須具備的基礎技術，包括了低功耗RF和網狀網路解決方案。在對省電燈泡和LED燈進行無線控制時，恩智浦採用802.15.4短距離無線通訊，它與ZigBee同樣運作在2.4GHz頻率。然而，恩智浦完全拋棄了 ZigBees　協議。
2010-09-27 TI三款設計套件加速低功耗無線網路設計
德州儀器(TI)日前推出3款無線套件，新套件是 TI Stellaris DK-LM3S9B96 開發套件的模組化延伸，結合了TI Stellaris ARM Cortex-M3 微控制器 (MCU) 的效能、易用性與無線連結能力，為工程師提供完整的軟體與參考設計解決方案，可輕易在設計中添加 RFID 、低功耗 RF 及 ZigBee 功能。
2010-01-14 CES：TI展示無壓縮CD音質的無線音訊技術
德州儀器(TI)於2010年CES(國際消費電子展)上展示全新的PurePath無線音訊方案──CC85xx系列晶片，運用了TI音訊與低功耗RF產品的設計技術，可讓2.4GHz系統單晶片透過業界最佳RF鏈結進行無壓縮音訊(uncompressed audio)的傳輸，而且不會出現惱人的雜訊或壓差情況。
2009-11-06 CSR與TSMC合作40nm低功耗RF技術製程
CSR宣佈正與台積電合作一項先進的40奈米低功耗射頻製程技術，CSR在此製程技術上已驗證了廣泛的連接性IP模組，預計將結合到下一代的連結中心(Connectivity Centre)系統單晶片。
2009-05-21 促進智慧無線網路發展　TI推低功耗RF方案
德州儀器(TI)宣佈推出完整的2.4GHz射頻(RF)系統單晶片解決方案CC2530，該產品不僅支援IEEE 802.15.4標準，而且還支援包括ZigBee PRO網路、ZigBee RF4CE遙控、智慧能源(smart energy)、家庭與建築自動化、環境監控以及無線醫療等一系列的延伸應用。
2008-11-17 TI推單晶片MSP430 MCU與低功耗RF解決方案
德州儀器(TI)推出全新CC430技術平台，可降低系統複雜性，將封裝與印刷電路板尺寸縮小50%，同時可簡化RF設計，進而促進包括RF網路、能源收集、產業監控與損害檢測(tamper detection)、個人無線網路以及自動抄錶基礎設備(AMI)等應用的發展。
2008-11-11 Cypress針對嵌入式應用推出CyFi RF低功耗方案
Cypress Semiconductor宣佈針對嵌入式市場推出一款低功耗的2.4GHz射頻(RF)解決方案。全新的CyFi低功耗RF方案整合了可靠的連結功能、更高省電效率，以及更廣的傳輸範圍等優勢，並支援高彈性且易用的PSoC可程式系統單晶片。
2008-03-26 ADI發佈ADL5321低功耗RF驅動放大器
亞德諾(ADI)公司最近推出一款低功耗RF驅動放大器ADL5321，適合用於LTE、WiMAX與WiBro的2.3GHz∼4.0GHz無線基礎設備設計。與其他射頻放大器相較，ADL5321提高了訊號線性度，並有效降低了功耗。在基地台、電台或衛星設備等系統中應用時，ADL5321可以節省高達4個外部被動元件，不僅降低設計複雜度，而且能讓RF設計人員能迅速推出高性價比的高效無線基礎設備。
2007-08-30 笙科電子發表低功耗RF收發晶片A7201
無線射頻IC整合型晶片供應商笙科電子推出新的RF receiver IC──A7201，提供低資料流量、低功耗的特性，為sub GHz的無線射頻單向接收晶片(適用315/433/868/915MHz)。
2007-08-22 TI收購RF設計業者ICD以拓展低功耗產品線
德州儀器(TI)宣佈收購射頻晶片設計業者Integrated Circuit Designs (ICD)，以拓展其產品線。此一收購是TI為了擴充其低功耗RF產品而採取的最新舉動，之前該公司還收購了Chipcon，以針對以ZigBee協議為基礎的的無線系統開發遠端低功耗RF收發器。
2005-12-26 Micrel低功耗RF模組工作於433/868MHz頻段
Micrel公司日前為其低功耗QwikRadio家族射頻模組發佈兩款最新產品──MICRF610和MICRF620。新推出的兩款元件工作在無需申請的433MHz和868MHz頻段，主要針對建築控制、產業自動化以及先進的遠端控制產品。
2005-11-25 Atmel新CMOS製程技術針對低功耗RF元件的應用
Atmel公司近日推出0.18um的AT58900 RF CMOS製程技術，主要針對需要高速低功耗RF元件的ASIC代工用戶，如WLAN、WiMAX及ZigBee等應用。這種新製程在200mm的晶圓上進行製造，可實現1.8V CMOS電晶體和大量陣列的被動元件，包括低容差的模擬聚乙烯電阻、N+和P+ S/D電阻以及多達4層的金屬層，其RF焊盤有助於降低介面阻抗。
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