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| 2012-05-07 | 力旺：NeoBit可在MEMS應用領域扮演要角 力旺電子(eMemory)表示，該公司 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體矽智財應用範圍相當廣泛，在電源管理晶片、高階液晶顯示驅動晶片、以及音訊編解碼晶片等，都可發現NeoBit 矽智財的應用，而當前火紅的微機電系統(MEMS)領域，也可應用NeoBit矽智財作為MEMS模組中溝通感測器與控制器晶片的重要橋樑。 |
| 2012-04-17 | 美光、三星攜手 催生無線記憶體標準 美光、三星攜手 催生無線記憶體標準 |
| 2012-04-12 | 拆解報告：Everspin新一代MRAM 目前， SSD 仍然以非揮發性記憶體(NVM)為主，主要採用快閃記憶體。儘管與傳統硬碟相比，快閃記憶體的速度提高了好幾個數量級，但今天在使用 SSD 開機時還需要等待一會兒。這也暴露出一個事實──在與ROM或DRAM相比時，快閃記憶體的讀取速度顯然遜色許多。 |
| 2012-03-22 | 力旺與華力微電子共同佈局高壓先進製程平台 嵌入式非揮發性記憶體供應商力旺電子(eMemory)與上海華力微電子共同宣佈，力旺電子之單次可程式(One Time Programmable，OTP)技術 NeoBit 已於華力微電子之 55奈米高壓製程完成矽智財驗證。 |
| 2012-03-19 | UNH-IOL為基於PCIe的SSD展開互通測試 專門為網路和儲存產業提供測試及標準相容性服務的新罕布夏大學互通實驗室(UNH-IOL)日前表示，一個新成立的機構──「非揮發性記憶體聯盟(Non-Volatile Memory Express (NVMe) Consortium)」現已開始接受入會申請。 |
| 2012-02-16 | Rambus宣佈收購創新記憶體技術供應商Unity Rambus宣佈收購創新記憶體技術供應商Unity |
| 2012-02-09 | Ramtron全新FRAM能耗僅EEPROM的千分之一 鐵電記憶體 (FRAM) 供應商Ramtron International新推出超低功耗16 kb非揮發性記憶體 FM25P16 ，新元件是 Ramtron 低能耗記憶體系列中的首款產品，其能耗僅為EEPROM 元件的千分之一，並具有快速讀/寫特性和次數幾乎是無限的耐用性。 |
| 2012-01-31 | Ramtron推出2Mb串列非揮發性F-RAM Ramtron推出2Mb串列非揮發性F-RAM |
| 2011-12-01 | 力旺將NeoBit整合至裸視3D影像方案中 嵌入式非揮發性記憶體(embedded non-volatile memory, eNVM)供應商力旺電子宣佈，其單次可程式(One Time Programmable, OTP)技術 NeoBit ，已成功應用於即時裸視3D影像解決方案，並獲歐美客戶採用。 |
| 2011-11-22 | Microchip擴展獨立式即時時脈/日曆元件系列 Microchip Technology宣佈推出全新獨立式即時時脈/日曆(RTCC)元件系列。 MCP795WXX/BXX RTCC 元件具備電池切換功能，可提供更快速的10MHz SPI介面、看門狗計時器、事件偵測和非揮發性記憶體，實現更大儲存容量以及比競爭對手性能價格比更高的有效功能組合。 |
| 2011-11-02 | Ramtron開始供應高速串列F-RAM樣品 低功耗鐵電記憶體(F-RAM)供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，已開始供應全新4~64Kb串列非揮發性 F-RAM 記憶體的預認證樣品 FM25040C, FM25C160C, FM25640C ，新產品於 Ramtron 在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次 (1e12)的讀/寫週期、低功耗和無延遲(NoDelay )寫入等特性。 |
| 2011-10-24 | IMEC：3D Flash有潛力 RRAM還需等待 基於金屬氧化物的非揮發性記憶體──電阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 節點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘 NAND 快閃記憶體相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合晶片發展， IMEC 研究所記憶體研究專案總監 Laith Altimime 說。 |
| 2011-10-19 | 力旺電子與宏力半導體擴大雙方於eNVM開發之合作 嵌入式非揮發性記憶體(embedded non-volatile memory，eNVM)供應商力旺電子(eMemory)與晶圓代工業者宏力半導體共同宣佈，雙方將透過共享資源設計平台進一步擴大合作範圍，發展多元嵌入式非揮發性記憶體解決方案。 |
| 2011-10-12 | 憶阻器取代Flash？ HP擬2013推商用化元件 惠普(HP)實驗室資深院士 Stan Williams 聲稱，該公司自2008年開始研發，基於‘憶阻器’技術的兩端點、非揮發性記憶體技術，可望在未來18個月內投入市場，甚至取代快閃記憶體。 |
| 2011-09-28 | IEDM：PCM研究朝20nm邁進 非揮發性相變記憶體技術長久以來一直被討論是否可取代現有的主動式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭議，因為儘管多年來有許多公司相繼投入研發，但仍未達量產水準。 |
| 2011-09-23 | 璟正的TSMC生產觸控晶片出貨破1千萬顆 璟正科技(FocalTech)與台積電(TSMC)日前宣佈，璟正在台積電下單的觸控晶片(Touch-Panel Controller IC)，總出貨量已超過一千萬顆。透過採用台積電嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)技術，璟正的觸控晶片具備高效能及低功耗優勢，現已應用在多種新世代消費性電子產品中。 |
| 2011-09-15 | 聯電推超小面積晶圓專工MTP矽智財方案 聯電(UMC)宣佈，與億而得微電子的共同開發專案已成功開花結果，將推出晶圓專工業界面積最小的 MTP 非揮發性記憶體 IP 解決方案。此一解決方案將使客戶得以於單一晶片上嵌入更多記憶體，藉以增加更多功能並且降低整體成本。 |
| 2011-08-22 | 力旺宣佈與鉅晶合作再創嶄新雙贏模式 嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子(eMemory)與專業積體電路代工廠鉅晶電子共同宣布，雙方合作再創嶄新的雙贏模式，力旺電子具備全球化的銷售網絡與成熟的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)技術，結合鉅晶電子專業之積體電路代工經驗，將可為客戶提供更有效率之專業化分工服務。 |
| 2011-07-15 | 力旺採用台積電80奈米高電壓製程提供NeoBit技術 力旺電子(eMemory Technology)宣佈，其單次可程式記憶體 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)矽智財技術已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證，並已成功導入客戶之高畫質(high-definition)顯示驅動晶片，將應用於下一世代智慧型手機。 |
| 2011-07-05 | 新研發被動式塑膠非揮發性記憶體 可用於檔案保全 新研發被動式塑膠非揮發性記憶體 可用於檔案保全 |
| 2011-06-15 | 2011 VLSI Symposia京都揭幕 台灣發表論文受重視 為期三天的「2011 VLSI技術國際會議 (Symposium on VLSI Technology) 」，於6月14日在日本京都揭幕；此次大會全球共有87篇論文發表，其中台灣獲選論文數為9篇，主題涵蓋 CMOS邏輯元件foundry platform、 3D IC 的 TSV 及製程的關鍵技術，以及非揮發性記憶體(NVM)技術等主題。 |
| 2011-06-10 | 力旺宣佈其NeoBit矽智財已通過80奈米製程驗證 嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory，eNVM)矽智財領導廠商力旺電子積極佈局先進製程再傳捷報，其單次可程式記憶體矽智財 NeoBit 已於台灣一線晶圓代工廠 80奈米 12吋晶圓廠完成可靠度驗證，並已成功導入客戶產品試產，未來將應用於下一世代智慧型手機之高畫質顯示驅動晶片(Display Driver ICs)。 |
| 2011-04-21 | 力旺宣佈其NeoEE IP通過驗證 搶進NFC市場 嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財供應商力旺電子(eMemory)日前宣佈，其內嵌式 EEPROM 矽智財 NeoEE IP 已於中國大陸晶圓代工廠之0.18微米1.8V/3.3V 製程平台通過驗證，而0.11微米與65奈米之NeoEE技術平台亦與國際級晶圓代工廠合作開發中，多次可程式矽智財 NeoEE 可實現於近場無線通訊(NFC)相關產品上。 |
| 2011-03-31 | Atmel推高精度數位溫度感測器AT30TS750系列 愛特梅爾(Atmel Corporation)推出首款整合非揮發性記憶體和串列EEPROM記憶體的高精度數位溫度感測器 AT30TS750 系列。該產品可在上電週期中保持用戶的客製化設置，從而簡化系統設計，減少處理器啟動程式碼，提高可靠性，同時確保正常運行，適用於消費性電子、工業、電腦和醫療應用。 |
| 2011-01-24 | eNVM矽智財授權業務穩定成長 力旺掛牌上櫃 國內嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory，eNVM)矽智財供應商商力旺電子(eMemory)日前舉辦上櫃前法人說明會，並於1月24日以70元掛牌上櫃，正式成為櫃買中心上櫃公司之一員。 |
| 2010-12-28 | IBM「賽道記憶體」進入最後衝刺階段 IBM「賽道記憶體」進入最後衝刺階段 |
| 2010-12-17 | ST創新RFID晶片內含64Kb EEPROM 意法半導體(ST)推出一款創新型無線射頻識別(RFID)電子標簽晶片 LRiS64K ，整合了無線射頻識別(RFID)電路和64-Kbit的 EEPROM 非揮發性記憶體，能夠保存製造商的原始訊息和完整的維修或升級記錄。 |
| 2010-11-15 | 飛思卡爾汽車專用32位元Qorivva微控制器問世 飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor, Inc.)推出專為汽車應用所設計的新一代32位元微控制器 (MCU) Qorivva系列，採用Power Architecture技術，並以專有的55奈米(nm)非揮發性記憶體(NVM)製程製造，大幅提升了功率及成本效益。 |
| 2010-11-08 | 借助專利優勢 力旺NeoFlash減少30%製造成本 記憶體IP供應商力旺電子(eMemory Technology Inc.)宣佈，該公司自行開發的嵌入式非揮發性記憶體技術 NeoFlash ，能夠將原先在邏輯製程上還需要9~11道的光罩製程大幅減少到3道光罩，至少可降低多達30%的設計與製造成本。 |
| 2010-10-12 | 可擴展PCM——神話抑或是現實？ 最近針對相變記憶體(PCM)的宣傳和聲明都將可擴展性列為重點，如同本期另一篇文章《細說相變記憶體的沿革》所述。然而，對該文作者來說，在許多考量之中有一點非常明顯：若PCM元件要與其它非揮發性記憶體技術競爭，並想在商業上取得成功，仍有一些嚴重的問題急需解決。 |
