什麼是砷化鎵？
| 砷化鎵原文為Gallium arsenide (GaAs)，屬於Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物；由於射頻元件需要工作頻率高、低功率消耗、低雜訊等特色，而砷化鎵本身具有光電特性與高速，因此多用於光電元件和高頻通訊用元件。砷化鎵可應用在WLAN、WLL、光纖通訊、衛星通訊、LMDS、VSAT等微波通訊上。但砷化鎵材料成本較高，使用的製程設備也與一般IC業者常用的矽製程設備不同。 |
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| 2011-08-30 | GaAs元件市場規模2015年可達3.2億美元 市場研究機構 Strategy Analytics 的最新預測報告指出，全球砷化鎵(gallium arsenide，GaAs)半導體元件市場，將由2011年的約2.05億美元規模，在2015年成長至3.20億美元。該市場主要成長動力，來自電信業者為因應手機對網路頻寬不斷增加的需求、對自家無線網路基礎架構進行改善的工程。 |
| 2011-08-30 | Amalfi推出第二代AdaptiveRF CMOS功率放大器架構 Amalfi Semiconductor宣佈推出前端 GSM / GPRS 蜂巢式手機用 CMOS 發射模組，利用體效應互補金屬氧化物半導體製程自身的可擴展性， AdaptiveRF 架構可融合高度整合的派生功能，包括交換機和復合濾波器，大幅降低前端產品的成本、體積和功耗。 |
| 2011-07-27 | RFMD晶圓代工部門新增兩項pHEMT製程服務 RF Micro Devices, Inc. (RFMD) 宣佈，其晶圓代工服務部門擴大製程技術服務，新增兩項砷化鎵(GaAs)製程技術： RFMD 的 FD25 低雜訊 pHEMT 製程和 RFMD 的 FET1H 切換 pHEMT 製程。這兩項額外的 GaAs pHEMT 製程技術可立即提供晶圓代工客戶服務。 |
| 2011-04-12 | 日本GaAs供應商未受震災影響 磊晶基板產能全開 市場研究機構Strategy Analytics的最新報告指出，鎵與砷化物原材料與半絕緣塊體基板(semi-insulating bulk substrates)供應鏈並未受日本311震災衝擊，而當地砷化鎵(GaAs)元件製造廠也大多數未受影響。 |
| 2011-01-24 | 效率40%的3G CMOS PA欲搶佔傳統GaAs市場 美國的無晶圓半導體公司 Black Sand Technologies 發佈效能可與砷化鎵(GaAs)匹敵的 CMOS 3G RF 功率放大器(PA)產品線，據表示，新推出的 BST34 和 BST35 系列效率均達到了40%，最大輸出功率則可達到28dBm。 |
| 2010-12-02 | RFMD 推出75瓦RF3932 GaN不匹配功率電晶體 RF Micro Devices, Inc. (RFMD)新推出一款75瓦、高效率氮化鎵(GaN)射頻不匹配功率電晶體(UPT) RF3932，與採用砷化鎵和矽晶功率技術的產品相比，可提供更良好的性能。 |
| 2010-10-15 | RFMD發表140瓦高效率電晶體 擴展高功率GaN系列 RF Micro Devices宣佈生產一款140瓦高效率氮化鎵(GaN)射頻不匹配功率電晶體(UPT)── RF3934 ，具備較競爭性砷化鎵和矽電源技術更高的性能。 |
| 2010-10-12 | ADI高整合RF/IF可變增益放大器實現高效能 美商亞德諾公司(Analog Devices, Inc.；ADI)發表一系列高整合度矽鍺 BiCMOS 以及砷化鎵 RF / IF 可變增益放大器(VGA)。ADI 全新 ADL5201 、 ADL5202 、 ADL5240 與 ADL5243 可變增益放大器在將高達4組的分離式 RF / IF 區塊結合在單一元件當中。憑藉此高整合度，有助於使無線電系統生產廠商顯著的降低元件數用量，並進而節省大量的物料成本。 |
| 2010-10-08 | 增加GaAs技術 RFMD擴展晶圓代工服務 RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣佈該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術至RFMD的晶圓代工服務內容，並開始為Foundry Services事業部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術。 |
| 2010-08-20 | Avago新款SOT-89 PA增益模組涵蓋LTE頻帶 安華高科技(Avago Technologies)推出4款全新增益模組解決方案： MGA-31189 和 MGA-31289 (0.25W)，以及 MGA-31389 和 MGA-31489 (0.10W) 在內。這些元件均採用Avago的0.25um GaAs 增強模式 pHEMT 半導體製程，具備高線性、高增益、優越的增益平坦度和低功率耗損特性。 |
| 2010-05-17 | 跨足砷化鎵 飛思卡爾推四款MMIC 跨足砷化鎵 飛思卡爾推四款MMIC |
| 2010-03-29 | 無線設備射頻功率放大器設計趨勢(下) 工程師在設計PA之前，有許多選擇可供他們仔細考慮。設計工程師面臨的第一個問題是：採用矽晶材料還是III-V族材料？本文將概述影響PA設計一些重要問題，並探討多種基礎半導體技術的優缺點，而這些技術將決定於矽晶和III-V族(砷化鎵，即GaAs)材料的爭戰中誰將勝出。 |
| 2010-02-04 | 無線設備射頻功率放大器設計趨勢(上) 工程師在設計PA之前，有許多選擇可供他們仔細考慮。設計工程師面臨的第一個問題是：採用矽晶材料還是III-V族材料？本文將概述影響PA設計一些重要問題，並探討多種基礎半導體技術的優缺點，而這些技術將決定於矽晶和III-V族(砷化鎵，即GaAs)材料的爭戰中誰將勝出。 |
| 2009-10-16 | ANADIGICS宣佈與穩懋半導體達成代工合作協議 通訊IC供應商ANADIGICS與砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠穩懋半導體(WIN Semiconductors)，日前宣佈就砷化鎵微波單片積體電路的設計和生產達成策略協定。砷化鎵IC用於無線手機和資料設備中，可使人們隨時隨地進行聯繫和通訊。 |
| 2009-09-21 | 德國科學家成功讓石墨烯在砷化鎵晶圓片上現形 德國科學家成功讓石墨烯在砷化鎵晶圓片上現形 |
| 2009-09-10 | 砷化鎵市場09年表現恐不如預期 需求將緩步回溫 砷化鎵市場09年表現恐不如預期 需求將緩步回溫 |
| 2009-08-17 | 分析師：化合物半導體在光纖類比晶片應用漸增 市場研究機構Strategy Analytics針對光纖類比晶片市場發表最新報告指出，化合物半導體正越來越多地被應用在更高價值、更高成長性的細分產品市場上。在不斷成長的光纖類比晶片市場，矽(Silicon)、矽鍺(SiGe)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)技術各有所長，將爭奪化合物半導體市場佔有率。 |
| 2009-07-07 | IBM工程師利用廢熱提升砷化鎵太陽能電池效率 IBM工程師利用廢熱提升砷化鎵太陽能電池效率 |
| 2009-06-16 | NXP新一代矽鍺碳技術推動RF產品創新 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出QUBIC4 BiCMOS矽技術，該技術能以更經濟的方式，在高頻率上實現更佳的整合度和性能。恩智浦表示，由於新技術可帶來更良好的低雜訊性能與IP可用性，因此可加快從砷化鎵(GaAs)元件轉移到矽元件。 |
| 2008-11-26 | FSI之POLARIS微影設備獲GaAs元件製造商訂單 微電子製造表面處理與微影設備供應商FSI International，日前宣佈接獲一家主要砷化鎵(GaAs)元件製造廠商追加POLARIS Microlithography System微影系統的訂單。 |
| 2008-11-11 | 凝聚向心力 經濟部通過5項業界科專計劃 經濟部日前召開「業界科專計劃」第113次指導會議，通過包括穩懋半導體(Win Semiconductor)申請的「整合HBT和pHEMT於單一砷化鎵晶片前端製程技術開發於WiMAX之應用」等5項業界科專計劃。 |
| 2008-06-19 | ANADIGICS：行動寬頻驅動高性能PA快速發展 ANADIGICS公司總裁兼CEO Bami Bastani在與《電子工程專輯》的專訪中，暢談他對目前RF半導體市場的觀察，並強調該公司針對快速成長中的寬頻、無線與有線領域一向秉持的市場兼容營運方針、專精的技術優勢，以及針對亞洲市場的晶圓策略。 |
| 2008-03-26 | CMOS功率放大器協助開發單晶片手機 一直有這種說法：諸如砷化鎵(GaAs)、橫向擴散MOS(LDMOS)或矽鍺(SiGe)雙極CMOS(BiCMOS)等特殊製程以不太精尖的幾何精密度就可提供製造商和設計師所需的短期成本優勢和線性調變。但CMOS內在的經濟規模驅使業界一直對其進行大量投入，所以其規模一直且將繼續領先其他的特殊製程。 |
| 2008-02-29 | 新研發GaAs太陽電池轉換效率可達24.7% 比利時研究機構IMEC宣佈透過使用在鍺基板(germanium substrates)上的砷化鎵(GaAs)太陽能電池，取得了達24.7%的光電轉換效率成績。該太陽能電池是ESA-IMAGER研究計畫的成果，其鍺(Ge)基板是由材料供應商Umicore所生產。 |
| 2008-01-28 | 雜訊低至1.4dB的單波段訊號接收寬頻增幅器 新日本無線(New Japan Radio)開發出一款寬頻低雜訊增幅器NJG1131HA8，這是一款砷化鎵單晶微波積體電路(GaAs MMIC)，最適用於內建單波段播放訊號接收器的可攜式終端產品，具備低雜訊與高線性特色，其典型雜訊指數為1.4dB。 |
| 2007-08-06 | 法國業者研發號稱效能媲美GaAs技術之CMOS PA 是否有可能為3G手機生產一種CMOS功率放大器(PA)，使其具有和砷化鎵(GaAs) PA一樣的電源效率和耐用性？法國業者ACCO Semiconductor相信，該公司已找到達成以上目標的方法，並期望利用手中的專利應用在這個數十億美元的市場中大撈一票。 |
| 2007-01-26 | 新日本無線推出低雜訊放大器GaAs MMIC 新日本無線(New Japan Radio)公司針對採用CMOS RF IC的800MHzCDMA手機，研發出一款具有旁通電路的低雜訊放大器砷化鎵微波單晶積體電路(GaAs MMIC) NJG1127HB6。 |
| 2006-12-26 | 應用廣泛 軍事國防領域GaAs元件持續成長 根據市場研究公司Strategy Analytics最新發佈的報告預測，軍事國防領域應用的砷化鎵(GaAs)元件市場，在2005至2010年會以8%的年複合成長率持續擴張版圖。GaAs廣泛應用在無線電偵查與測距(Radar)、通訊、電子戰(electronic warfare)和智慧型軍備(smart munitions)。 |
| 2006-12-22 | Hittite新款LNA適合6~20GHz應用領域 美國Hittite微波發表兩款用於軍事、航空、微波無線電、產業、測試以及醫療應用的低雜訊放大器(LNA)晶片。新款HMC564LC4和HMC565LC5是採用SMT封裝的砷化鎵假晶高電子遷移率電晶體(PHEMT)單片微波積體電路(MMIC)低雜訊放大器，適合6~20GHz的應用，元件工作於3伏電壓，無需額外匹配。 |
| 2006-11-30 | RFMD新系列GaN功率放大器針對無線通訊應用 RF Micro Devices (RFMD)發表並提供氮化鎵(GaN)寬頻功率放大器IC樣本予一線WiMAX、手機基地台及公共行動無線電(PMR)客戶。相較現有砷化鎵(GaAs)及矽晶LDMOS產品，此家族於廣泛的頻率範圍中，提供了增益、輸出電源及效率之優越效能。 |
