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超晶格 搜尋結果

 
 
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2005-08-01 晶格結構對GaN PIN紫外線感測器的影響研究
帶成對AlGaN/GaN晶格(SL)結構、用於PIN紫外線檢測器的GaN,是用金屬有機化學氣相沈積技術(MOCVD)在藍寶石襯底上生長而製成。由於帶有8對AlGaN/GaN超晶格,因此不僅能透過應力控制來消除裂縫,而且還能透過將自身作為一個有效的錯位濾波器來大幅降低穿透錯位密度。相關結構表現出很好的薄膜性質,例如薄膜中增強的結晶度、更高的載流子遷移率、更低的缺陷水平以及更低的腐蝕坑密度或平均粗糙度等。改進後的元件與沒有SL結構的檢測器相比,在紫外光譜範圍內具有更低的暗電流、出色的回應靈敏度以及更高的紫外/可見光抑制比。
2010-01-21 晶格可望催生更快、更小、更省電的RRAM
美國密蘇里大學(Missouri University)的科技研究人員指出,晶格(superlattice)可望成為讓電阻式記憶體(resistive random access memories,RRAM)技術邁向商業化的關鍵。.
2007-12-05 美科學家發現與超導體特性相反的「絕緣體」
超導金屬(superconducting metals)的工作原理,是將電子綁成庫柏對(Cooper pair),其運動能夠耦合為長串的電子。這些電子與導體的晶格振動(lattice vibration)會在冷卻到接近絕對零度時同步,因此避免與形成電阻的金屬原子發生碰撞。
2008-08-13 新開發高效率電解質可望大幅降低燃料電池成本
來自西班牙的研究人員開發出一種可望有效提高燃料電池效率的晶格(superlattice)電解質材料,並預期可大幅降低目前的固態氧化物燃料電池成本。
2006-12-22 半導體製程進展最後障礙已除?
一家美國新創半導體公司Mears Technologies,宣稱已掃除了將摩爾定律(Moore’s Law)延伸至22奈米節點的最後幾個路障之一:閘極漏電流(gate leakage)。透過改變電晶體通道,Mears表示其技術延續了摩爾定律的生命;該技術採用矽晶格(silicon superlattice)來阻擋閘極漏電流。
2012-04-24 IBM展示THz級的石墨烯光電元件
石墨烯由於可被製造成導體、半導體和絕緣體,因而一直被視為是未來的神奇材料。現在,IBM公司透過展示一種為其增加光電特性的石墨烯/絕緣體晶格,使其可實現達兆赫(terahertz;THz)級頻率的陷波濾波器、線性偏光鏡等元件,以便在未來擴展至中紅外線和遠紅外線波段的光電設備,如探測器、調變器與 3D 超穎材料應用中。
2005-11-04 垂直記錄技術使硬碟容量進入10倍成長時代
儘管硬碟工業過去五十年內一直成功地使用縱向記錄技術,但目前已經接近其應用極限。
 
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