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| 2011-10-24 | IMEC：3D Flash有潛力 RRAM還需等待 基於金屬氧化物的非揮發性記憶體──電阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 節點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘 NAND 快閃記憶體相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合晶片發展， IMEC 研究所記憶體研究專案總監 Laith Altimime 說。 |
| 2011-08-11 | EUV遲到可能拖累NAND市場成長 在日前的一場快閃記憶體高峰會中， SanDisk 公司的技術長 Yoram Cedar 指出，下一代微影技術的延遲，將導致 NAND 快閃記憶體的成長趨緩。市場原先對快閃記憶體的展望都相當樂觀，但 Cedar 表示，由於超紫外光(EUV)微影技術的延遲，快閃記憶體的成長可能需要再評估。 |
| 2010-06-28 | 旺宏創新技術助NAND Flash朝3D轉換 就在主要 NAND 快閃記憶體製造商竭力朝2x-nm甚至1x-nm製程世代邁進，以期延續既有 NAND Flash 技術壽命之際，旺宏(MXIC)提出的 3D NAND Flash 為未來3~5年該領域的進展投下了變數。 |
| 2009-09-08 | 新創公司挑戰3D Flash市場 專攻3D Flash技術的新創公司Schiltron運用現有製程開發出了全新的3D快閃記憶體技術，該公司創辦人兼總裁Andrew Walker對《電子工程專輯》說明了其技術特點，並表示，未來2年內將正式推出產品。 |
| 2009-06-06 | 大勢所趨──封裝技術持續朝垂直方向發展 3D半導體封裝技術使我們能設計出日常生活中使用的許多產品——手機、個人娛樂設備和快閃記憶體驅動器。對於仰賴胰島素幫浦和去顫器等可植入醫療設備的患者來說，這些3D封裝對提升生命品質將發揮關鍵作用。功 |
| 2008-08-19 | 成本更低 世界首款3D晶片誕生 一家由韓籍工程師所創立的無晶圓廠IC設計公司BeSang，發明了號稱世界首創的3D晶片製程，該技術已可提供授權。該製程技術目前已擁有25項專利保護，可允許將快閃記憶體(Flash)、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器核心以及系統晶片(SoC)上。 |
| 2007-06-26 | 提升NAND密度 Toshiba轉向SONOS技術 東芝(Toshiba)打算不再繼續挑戰半導體製程極限，而是轉向3D結構技術來提高NAND快閃記憶體的密度。除了東芝之外，還有不少記憶體製造商也都希望能以新設計代替傳統的浮動閘極(floating gate) NAND，因為該類產品已經快到容量極限了。 |
| 2007-01-17 | 2007年韓國電子產業展望 2006年末，IMF曾預測由於中國大陸消費電子產品購買能力下降，利潤減少，亞洲電子產業停滯不前，經濟發展速度將隨之放緩。不過，韓國的IT元件出口額在2006年下半年仍繼續攀升，並推動總出口額不斷成長。 |
| 2006-08-22 | SanDisk計畫將Matrix 3D記憶體轉為讀寫記憶體 SanDisk計畫將Matrix 3D記憶體轉為讀寫記憶體 |
| 2006-04-18 | 三星：新3D封裝技術比MCP封裝尺寸更小 三星電子(Samsung Electronics)日前宣佈開發出一種晶片3D封裝技術，採用其專利晶圓級堆疊製程(wafer-level stack process，WSP)。三星的WSP技術採用「Si貫通電極」(through silicon via)互連，適合用於手機和其它產品等一系列小型混合式的封裝。 |
| 2005-09-12 | Atmel快閃記憶體MCU具有CAN、USB及加密等功能 Atmel快閃記憶體MCU具有CAN、USB及加密等功能 |
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