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DRAM 什麼是DRAM? 搜尋結果

 
 
什麼是DRAM?
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)屬於一種揮發性記憶體(volatile memory),主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象,導致電位差不足而使記憶消失,因此除非電容經常周期性地充電,否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,「靜態」記憶體(SRAM)只要存入資料後,縱使不刷新也不會遺失記憶。 DRAM的記憶單元與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單,每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理,相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。因此,DRAM擁有高密度,低成本的優點,但是它也有存取速度較慢,耗電量較大的缺點。
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2010-10-18 韓國電子展現場直擊:最新LCD、DRAM產品齊亮相
在10月12~15日於韓國舉行的韓國電子展(Korea Electronics Show),有不少韓國本地廠商展出一系列令人眼花撩亂的產品,包括 3D電視、DRAM、 LED晶片等,都是熱門項目。
2011-03-24 震災影響預期心理 DRAM合約價呈現上漲趨勢
雖然福島核電廠危機暫獲得控制,但分區限電措施依然持續進行中,加上又以民生與交通用電為首要考量下,工廠復工日期仍難以確定,矽晶圓供給可能減少下,PC OEM廠商已陸續拉高庫存水位來面對未來出貨的需求。在DRAM需求轉趨積極下,3月合約價格開始呈現上漲的趨勢,DDR3 2GB價格自16.5美元上漲至17美元(每1Gb 0.91美元),漲幅約3.03%。
2006-03-24 需求停滯 DRAM與NAND Flash市況不佳
DRAMeXchange針對DRAM與NAND Flash市場發佈最新分析報告指出,根據該機構所調查的三月下旬合約價,DRAM廠已無進一步提高價格,不論DDR模組或DDR2模組皆大致以持平成交。而由於廠商產能持續成長但市場需求低迷,NAND Flash產業正經歷著本年度最大幅度的單月價格幅度下滑。
2008-10-15 集邦:華亞歸美光 對DRAM產業有正面助益
集邦科技認為,當華亞正式納入美光旗下後,對整體的DRAM產業助益絕對是正面的,在技術上,華亞將不受限於70nm溝槽式技術,未來將技術轉換為美光的68nm甚至於50nm的堆疊式技術,大幅提升華亞本身未來的競爭力。
2012-03-01 集邦:爾必達聲請破產對DRAM後市影響甚鉅
日本記憶體大廠爾必達(Elpida)於 2012年2月27日宣佈申請破產保護,震驚低迷甚久的 DRAM產業,針對此一事件,市場研究機構集邦科技(TrendForce)指出,與 2007年時奇夢達(Qimonda)退出市場情況雷同,破產保護雖與倒閉不同,爾必達仍可繼續投片生產,但對於DRAM後市已產生不容小覷的影響。
2008-12-18 集邦:政府適度援助可望拉抬台灣DRAM廠市佔率
在此波不景氣中,台灣政府為了拯救兩兆雙星產業之一的DRAM產業,立法院經濟委員會於12月3日通過國發基金新增1,000億元(30億美元)拯救DRAM產業。
2011-11-22 集邦:廠商紛傳減產 但DRAM市場仍供過於求
但 DRAMeXchange指出,各家DRAM廠商減產的目的皆為減少虧損幅度,並非寄望DRAM價格可以回復;加上市佔率高達近七成的三星(Samsung)及海力士(Hynix)仍未聽聞減產消息,集邦科技預估DRAM市場仍將處於供過於求的狀態。
2009-01-15 集邦:廠商持續減產 DRAM價格反彈不遠
根據集邦科技(DRAMeXchange)統計去年九月至今年一月間的最新的DRAM投片量,全球減產已逾22%,其中以台灣減產幅度最高達55%,顯見DRAM廠自九月宣佈減產後每月仍不斷持續減少之投片量,已超過當初對外所宣稱的比例。
2007-08-16 集邦:廠商出清庫存 DRAM現貨市場價格下跌
根據集邦科技(DRAMeXchange)所發表的最新記憶體市場報告指出,上週DRAM現貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高,但後續追價力道不強,使得部份庫存水位較高的通路商反手殺出手中的庫存。
2007-01-25 集邦:奈米製程壓低成本 DRAM廠商獲利穩定
根據集邦科技(DRAMeXchange)針對DRAM市場所發表的最新報告指出,因市場需求不振,使得DDR2現貨價格大幅度下跌。至於一月下旬DDR2合約價格由於部分DRAM廠商與PC OEM廠商價格談判改為一個月一次,因此跌幅仍在3%以內,預期2月以後會有較明顯的跌幅。然而90nm製程使得DDR2成本在3美元以下,DRAM廠商仍維持穩定的獲利。
2010-11-02 集邦:十月下旬DRAM合約價創下近一年以來最大跌幅
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門 DRAMeXchange 調查,十月下旬DRAM合約價跌幅加劇,創下近一年以來最大跌幅; DDR3 2GB的合約均價從31.5美元下跌至27美元,跌幅達14.3%,低價成交價更下探至26美元價位,跌幅更高達15.2%。
2011-11-11 集邦:力晶帶頭 台灣DRAM廠展開轉型之路
集邦指出,與國際大廠相比,台灣 DRAM 產業由於製程轉進速度緩慢及過多比例放在標準型 DRAM 上,導致今年至今虧損達台幣586億元;由於 DRAM 產業仍處於供過於求狀況,加上國際大廠在第四季積極轉入30nm製程,預估明年上半年供過於求依然超過15%,故部份台系DRAM廠早已展開轉型之路。
2012-02-21 集邦:今年標準型DRAM產出比重將跌破五成
因產能恢復,DRAMeXchange 預期 2012年DRAM產業成長數字將從21%再度提升至30%,但由於產品比重的改變,如各 DRAM 廠無不積極從標準型記憶體轉進行動式記憶體及伺服器用記憶體領域,估計標準型記憶體佔全體DRAM產出比重從去年的53%下滑至49%;這是標準型記憶體比重首次跌破50%之下。
2010-03-10 集邦:mobile DRAM今年位元需求成長71%
集邦科技(TrendForce)預估,在智慧型手機大廠競相成長之下,Mobile DRAM預期出貨量將大幅成長且價格走勢趨向穩定;目前Hynix mobile DRAM佔其總產出已達到12%,Samsung更是接近其DRAM總產出20%之高水位,預估全球Mobile DRAM output在今年將可成長至18.7億1Gb約當量,年成長率達到71%。
2007-03-08 集邦:DRAM跌10% NAND現貨價反彈上揚
集邦科技(DRAMeXchange)針對記憶體市場發表最新報告指出,上週為中國農曆年假期後第一週,年假後的補貨以DDR為主,DDR2的需求較弱。雖然成交量並不大,但DDR 256Mb eTT之價格仍微幅上漲2.3%至1.79美元,DDR 512Mb 400MHz則上漲3.2%至3.86美元。
2010-08-24 集邦:DRAM合約價下探 PC記憶體容量攀升
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示,隨著DRAM價格逐步調降,PC OEM考慮下半年起調高DRAM搭載容量;預計今年第三季筆記型電腦平均記憶體搭載容量的3GB將在第四季時將攀升至3.13GB,成長幅度為4.3%。
2007-06-28 集邦:DRAM價格漲勢趨緩 NAND Flash平穩
根據集邦科技(DRAMeXchange)所公佈的最新記憶體市場調查報告,上週DRAM現貨市場價格仍持續上漲,但漲幅已經減緩。
2008-10-13 集邦:DDR2嚴重跌價 DRAM廠產能轉向DDR3
2007與2008年對DRAM產業而言是艱困的二年,市場供過於求與DRAM廠的大幅擴產導致DDR2顆粒價格嚴重下跌,再加上第四季的PC銷售成績不如預期,使得DRAM顆粒庫存水位攀升,價格更是頻頻破底。
2011-07-28 集邦:7月DRAM價格續跌 下半年後市不樂觀
DRAM 廠而言,雖然時序進入第三季傳統旺季,但7月DRAM價格表現卻不如往年逐步走揚,2GB模組合約價較上月下跌15.94%,亦反應出市場對於下半年後市的不樂觀;DRAMeXchange表示,市場成交量自6月快速萎縮,加上PC出貨下修、記憶體搭載成長趨緩及全球經濟衰退等都無反轉跡象下,都令這波DRAM價格下跌速度超乎預期。
2011-04-28 集邦:4月下旬DRAM合約價呈現小幅上揚
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調查,4月下旬 DRAM 合約價呈現小幅上漲的價格走勢, DDR3 2GB均價自18美元上漲至18.25美元(1Gb $0.98),漲幅約1.39%, DDR3 4GB均價亦上漲至35.5美元(2Gb $2.06),漲幅約在1.43%。
2012-04-25 集邦:4月上旬DRAM合約價仍維持上漲走勢
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 調查,DRAM合約價格自4月初至今,由於買賣雙方在合約價議定上苦無共識,導致議價時程拉長,使得上旬合約價延至本月第三周才公布。
2012-01-17 集邦:2012年DRAM市場發展將有重大變革
集邦科技預估,2012年DRAM市場的發展將會產生重大的變革;首先,DRAM產能的擴充將漸趨理性,加上轉進20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買 EUV 等先進機台,即使龍頭三星半導體(Samsung)亦不得不在製程精進上放慢腳步。因此集邦科技預估,今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%,較前數年動輒50%的年成長已大幅趨緩。
2009-12-24 集邦:2010下半年DRAM可能出現大缺貨
由於消費型電腦機種DRAM搭載以4GB起跳,高階機種以6GB為主,明年下半年加上商業電腦換機潮,研究機構集邦科技(DRAMeXchange)估計,明年電腦平均搭載率成長近16%由2.52GB成長至2.92GB,下半年在電腦銷售旺季帶動下,DRAM將有可能出現大缺貨。
2007-02-02 集邦:2006年Q4品牌DRAM廠商銷售成長16.2%
根據集邦科技(DRAMeXchange)調查,2006年第四季全球DRAM品牌廠商銷售額較第三季成長16.2%。第四季DRAM合約市場仍供給吃緊,主流規格的DDR2合約價格上揚帶動銷售額成長。以各區域的DRAM品牌廠商銷售額排名來看,韓系廠商市佔率達44.6%,位居全球主導地位。其次為台系廠商市佔率17.8%,較第三季的19.5%下滑。
2009-01-08 集邦預估09年DRAM業資本支出減4~5成
根據集邦科技(DRAMeXchange)的記憶體市場最新調查數據,在現貨市場方面,DDR2 1G eTT自十二月中開始起漲,顆粒價格從低點的0.59美元上漲至今0.92美元(12/15-1/6),漲幅將近56%,DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多讓,價格也從0.58美元上漲至0.78美元,漲幅約34%。
2008-04-28 鎖定新一代DRAM研發 Qimonda與Elpida聯手
奇夢達(Qimonda)與爾必達(Elpida)日前簽定共同開發技術合作意向書,將聯手開發新一代的記憶體晶片(DRAM)。在此項合作計畫,奇夢達將提供其Buried Wordline的關鍵技術,爾必達則將提供其堆疊技術。
2006-03-21 鎖定各式消費性應用 鈺創推出系列x32 DRAM
看好數位家庭以及可攜式多媒體產品的成長潛力,鈺創科技(Etron Technology)推出一系列x32新產品,包括4Mbx32 DDR、4Mbx32 SDR,以及2Mbx32 1.8V SDR,宣稱能以更低功耗、更高頻寬的特性,降低客戶產品成本與設計複雜度。鈺創表示,新一代產品線採BGA封裝,亦提供優良晶粒(KGD)供客戶選擇,目前已供應樣品予客戶驗證,預計將於今年第二季大量供貨。
2012-11-08 針對超薄設計的多晶片DRAM封裝技術
近期新開發出的多晶片DRAM封裝技術,採用軸對稱錫球分配結構。其基本形式為封裝結構內包含四片打線接合的DRAM晶片,倒裝在有機基板上的兩個部分重疊層之間。此種錫球分配結構是專門設計允許焊接式DRAM在雙面組裝上的高效PCB佈局,主要用於UltraBook超薄筆記型電腦中的主記憶體。
2008-12-24 邁向性能新境界 三星56nm DRAM架構揭密
三星公司持續於密度發展道路方面的能力是無庸置疑的。從80nm到68nm的製程變化中,三星正積極地將感測放大電晶體閘極長度從0.22μm調整到0.12μm;在56nm節點採用浮層源極/汲極電晶體,而使得NMOS驅動電流達到440μA/μm。在56nm節點以後,我們可預期DRAM將邁入一個嶄新的境界。
2007-12-13 遏止DRAM價格續跌 大廠減產是唯一解決之道
集邦科技(DRAMeXchange)發表最新DRAM市場研究報告指出,上週(12/3~12/10)現貨市場呈現近期少見的震盪格局,DDR2 512Mb eTT顆粒價格曾一度突破0.9美元,最後收在0.79美元,跌幅2.4%。另一方面,當價格跌破變動成本後,國際大廠即應進行減產,2008年的DRAM市場才能夠供需平衡。
 
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