共搜索到64 篇文章
按相關度排序
按時間排序
| 2012-02-14 | 自主開發SLC NAND 旺宏提供完整Flash產品 自主開發SLC NAND 旺宏提供完整Flash產品 |
| 2010-09-23 | 進度超前 旺宏年底開始量產75奈米NOR Flash 進度超前 旺宏年底開始量產75奈米NOR Flash |
| 2010-07-26 | Spansion與爾必達拓展快閃記憶體事業聯盟範圍 爾必達(Elpida Memory)與快閃記憶體方案廠商Spansion宣佈拓展雙方合作關係範圍，共同研發 NAND 製程技術與產品，並包含納入一項 NAND Flash的晶圓代工服務協議。 |
| 2010-03-10 | 恆憶針對嵌入式應用推出串列式快閃記憶體方案 恆憶(Numonyx)宣佈推出首款65奈米多工輸入輸出串列式快閃記憶體(serial flash memory)系列產品，進一步擴大恆憶強大的記憶體產品陣容，並可滿足嵌入式市場的嚴格編碼與資料儲存的可靠性要求。 |
| 2009-08-24 | 業界高層預言NAND市場8大趨勢 在近日於美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創辦人暨總裁、執行長Eli Harari警告，NAND產業正處於「十字路口」，主要是因為市場產能供應與需求之間存在「隔閡」。 |
| 2009-08-19 | 美光：NAND不死 挺進1x-nm有望 在日前的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產業的前途感到悲觀。有人說，NAND供應商在可預見的未來都將繼續虧損。另一些人則認為，新的應用如固態硬碟(SSD)所需的起飛時間遠較預期來得長。當然，還包括了一個普遍的認知：NAND的晶片尺寸微縮已接近尾聲。 |
| 2009-08-18 | 傳Elpida有意收購Spansion無線晶片業務 在不久前於美國加州舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，有傳言指出日本記憶體業者Elpida有意以2~3億美元價格，收購Spansion的無線晶片業務部門；不過Elpida的發言人拒絕對此傳言發表評論。 |
| 2009-07-24 | 恆憶公佈新快閃記憶體品牌「Numonyx Forte」 恆憶(Numonyx B.V.)日前公佈了旗下串列式全產品線新品牌──Numonyx Forte串列式快閃記憶體(Serial Flash Memory)，這一系列產品包含現有的標準嵌入式應用和汽車級串列式NOR產品線，以及即將推出、採用恆憶65nm製程的multi-I/O產品，應用領域涵蓋消費電子、汽車電子、有線和無線通訊。 |
| 2009-06-08 | 盛群推出Flash type語音IC可重複燒錄 盛群推出Flash type語音IC可重複燒錄 |
| 2008-08-27 | Spansion快閃記憶體與TI的OMAP處理器的交互應用 此份文件假設讀者已熟悉非同步、分頁(page)和同步的快閃記憶體時序。 |
| 2008-01-11 | Microchip新款8位元MCU配備快閃數據記憶體 居業界領先地位的微控制器及類比元件供應商Microchip Technology，推出首兩款8和14接腳封裝並配備非揮發性快閃數據記憶體(Flash Data Memory，FDM)的Baseline 8位元快閃PIC微控制器PIC12F519及PIC16F526。 |
| 2007-10-09 | 鉅景推出整合NOR Flash與pSRAM的MCP方案 鉅景推出整合NOR Flash與pSRAM的MCP方案 |
| 2007-08-14 | PCM可望取代NOR Flash 台商宜把握市場先機 PCM可望取代NOR Flash 台商宜把握市場先機 |
| 2007-03-30 | 缺乏關鍵新應用 NAND供過於求暫難舒緩 NAND快閃記憶體晶片的價格將在今年下跌至谷底，波動幅度高達65%；同時，業界也開始耳語，這項曾經擁有高利潤的技術可能很快地變成近乎免費的商品。 |
| 2007-03-13 | 用於系統級晶片的奈米晶非揮發性記憶體 矽晶技術的發展，正驅使今天的系統單晶片(SoC)整合更多功能模組。最早的SoC是微控制器，內含CPU、快取SDRAM和用於連接感應器和制動器(actuator)的週邊設備模組。而在系統斷電時也能保存資訊的非揮發性記憶體則在多年前就已整合在SoC中，如摩托羅拉於1982年推出的MC68HC11元件。這種微控制器已用於許多汽車、工業和消費應用中，包括汽車引擎蓋內等惡劣環境。 |
| 2007-02-09 | 記憶體技術向‘統一之路’邁進 針對下一代記憶體技術的各種研究，在日前舉行的‘IEEE國際電子元件會議’(IEDM)上成為備受關注的焦點。會議中，關於DRAM和快閃記憶體元件在不久的將來就無法再微縮的疑慮正不斷升高。 |
| 2006-12-19 | ST宣佈組織重整 設置獨立快閃記憶體部門 意法半導體(STMicroelectronics)宣佈將現有產品劃分為三大事業群的組織重組計畫。根據新的組織架構，ST將現有的公司產品劃分成特殊應用產品部(Application Specific Groups，ASG)、快閃記憶體產品部(Flash Memory Group，FMG)和工業及Multisegment產品部(Industrial and Multisegment Sector，IMS)，ST的新組織架構是為了符合市場的需求，同時也為公司策略性的重新定位其快閃記憶體產品作準備。 |
| 2006-12-13 | 鉅景發表全系列手機/數位相機應用MCP解決方案 SiP (System-in-a-Package)解決方案供應商鉅景(ChipSiP)，為協助客戶達到數位相機/手機等產品薄型化之需求，推出全系列MCP解決方案。MCP為複合式記憶體(combo memory)，將二種以上記憶體晶片透過整合與堆疊設計封裝在同一個BGA封裝，比起二顆TSOP，可節省近70%空間。 |
| 2006-11-24 | Data I/O宣佈與Intel快閃記憶體部門進行合作 Data I/O宣佈，該公司與英特爾(Intel)的快閃記憶體部門(Flash Memory Group)共同成立了全球性的聯盟，以為雙方共同的客戶帶來更高的價值。該聯盟將提供合成解決方案以減少產品上市時間，並推動英特爾的快閃記憶體元件和Data I/O自動編程解決方案的採用和製造。 |
| 2006-09-19 | 三星新一代40奈米NAND快閃記憶體採用CTF架構 為重奪NAND快閃記憶體領域的領導地位，三星電子(Samsung)宣佈開發出採用40奈米設計架構及三星專有的Charge Trap Flash (CTF)結構的業界首款32Gbit NAND快閃記憶體。三星表示，這種32Gbit NAND快閃記憶體首次採用了高K電介質薄膜，適用於容量達64 gigabytes (GB)的記憶卡。 |
| 2006-09-06 | ST針對汽車應用推出升級版32M快閃記憶體 意法半導體(ST)推出專門為汽車市場開發的升級版32-Mbit快閃記憶體晶片M58BW32F。新產品因為能夠在汽車的全程溫度範圍內對記憶體進行高速存取作業，特別適合汽車客戶對傳動系統和變速器控制模組的需求，該產品亦適用於其它配備了最新的32位元微控制器的高性能汽車系統。 |
| 2006-08-21 | MRAM正式出貨 記憶體市場面臨改朝換代 過去11年來，飛思卡爾半導體技術總監Saied Tehrani和他領導的MRAM開發小組經過不斷的摸索和研究，終於成功開發出一種採用磁阻技術取代電荷儲存的新型半導體記憶體。 |
| 2006-08-16 | 打遍天下無敵手 快閃記憶體難取代 「快閃記憶體萬歲！」──在日前於美國召開的一場快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，市場研究機構Semiconductor Insights記憶體部門的技術經理Geoff MacGillivary表示，快閃記憶體(特別是NAND)至少還能發展三代，因而在可預見的將來都不會需要“通用記憶體(universal memory)”技術。 |
| 2006-06-19 | 英特爾90奈米StrataFlash行動NOR快閃記憶體揭密 談到MLC NOR產品，大家自然會想到英特爾的第五代StrataFlash蜂巢式記憶體M18。事實上，M18的單位面積儲存密度已經相當於市場上現有的1Gb/2Gb SLC NAND快閃記憶體。從表面來看，M18與前幾代StrataFlash產品極為相似，但是實際上M18卻擁有更佳性能、更高密度及更低功耗。為了更適合行動應用，英特爾究竟對M18進行了哪些變更？透過閱讀本期的M18拆解報告，相信能從中找到答案。 |
| 2006-06-01 | 各種先進記憶體在行動設備應用中展開激烈競爭 隨著製程技術的演進，目前主導市場的三種記憶體技術─DRAM、E2PROM/快閃記憶體和SRAM都已經接近它們的基本物理極限，技術進一步升級的許多嘗試都是事倍功半。於是，業界正加緊新型記憶體技術的研發。這些新技術包括FRAM、MRAM、PRAM這些與CMOS相容的嵌入式記憶體設計。透過這些新技術的研發，新的記憶體可以實現10年以上的數據保持能力，奈秒級的讀寫速度以及1012次的讀寫壽命週期。 |
| 2006-06-01 | 第一季我國IC總體產業產值比同期成長27.6% 2006年第一季我國IC總體產業產值(含設計、製造、封裝、測試)為3,070億新台幣，較上季(2005Q4)衰退6.3%，較去年同期(2005Q1)成長27.6%。其中設計業產值為728億新台幣，較上季衰退14.2%，較去年同期成長26.6%；製造業為1,635億新台幣，較上季衰退4.2%，較去年同期成長25.8%；封裝業為490億新台幣(國資+外資)，較上季衰退8.1%，較去年同期成長29.3%；測試業為217億新台幣，較上季成長14.2%，較去年同期成長41.8%。綜觀2006Q1我國IC各業別產值表現，較2005Q1均有二成以上的成長率。 |
| 2006-05-29 | 因應NAND旺盛需求 東芝擬擴充快閃記憶體產量 東芝公司日前表示，計畫三年內投資180億美元，一半用於半導體，主要是擴充NAND快閃記憶體產量。東芝總裁暨執行長Atsutoshi Nishida表示，將增加NAND快閃記憶體產量，將兩座新工廠的產能擴大至兩倍。 |
| 2006-05-12 | 廠商成立NAND工作小組 聯合定義介面標準 為了加速向市場推出採用NAND的快閃記憶體，Hynix、英特爾(Intel)、美光(Micron)、Phison和Sony等公司日前宣佈成立開放式NAND快閃記憶體介面(Open NAND Flash Interface，ONFI)工作小組。令人意外的是，NAND快閃記憶體產業中的韓日兩大主要廠商三星電子(Samsung)和東芝(Toshiba)卻不在其中。 |
| 2006-05-10 | 2006年將是屬於NAND快閃記憶體的一年 隨著新產品出現在數位媒體融合的十字路口，NAND和NOR記憶體應用界線也逐漸模糊。在微軟的大力協助下，NAND快閃記憶體供應商正積極地在筆記型電腦、小型和娛樂型PC中的儲存領域上攻城略地，搶奪原屬於NOR的地盤。目前，數位消費性應用的發展毫無任何減緩跡象，因此我們可以放心地說，2006年將是屬於NAND快閃記憶體的一年。 |
| 2006-04-28 | NAND快閃記憶體需求如黑洞 產能供應恐將不足 SanDisk公司總裁暨CEO Eli Harari在最近舉行的SEMI Strategic Business Conference會議上表示，如果NAND的成長率以現在的速度增加，晶圓廠將無法提供足夠的產能來滿足市場上使用NAND快閃記憶體的需要。猶如黑洞般難以補足的快閃記憶體需求是需要巨額的資本支出(CAPEX)的支應配合。 |
